Модуль IGBT YZPST-450HF120TK-G2

полупроводниковый IGBT

возможности

Высокая возможность короткого замыкания, самоограничивающийся ток короткого замыкания

МИКРОСХЕМА IGBT (технология Trench + Field Stop)

VCE (sat) с положительным температурным коэффициентом Быстрое переключение, низкие потери при переключении

Диоды свободного хода с быстрым и плавным восстановлением обратного хода

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

Применение с высокочастотной коммутацией

Сварочные преобразователи

Управление движением/сервоуправление

Системы ИБП

АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ TC = 25°C, если не указано иное

Символ

Параметр

Условия испытания

Значения

Единица измерения

IGBT

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

T Вдж = 25 °C

1200

V

V GES

Напряжение затвора - эмиттера

±20

V

I C

Ток коллектора постоянного тока

Tc = 25 °C

675

A

T C =80°C

450

A

I СМ

Повторяющийся пиковый ток коллектора

tp = 1 мс

900

A

P tot

Рассеиваемая мощность на IGBT

2016

W

Диод

V RRM

Повторяющееся обратное напряжение

T Vj = 25 ° C

1200

V

If (AV)

Средний прямой ток

Tc = 25 °C

675

A

T C =80°C

450

A

I FRM

Повторяющийся Пиковый прямой ток

t p = 1 мс

900

A

ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЯ Tc =25°C, если не указано иное

Обозначение

Параметр

Условия испытания

Мин.

Typ.

Макс.

Единица измерения

Т Вдж макс.

Макс.

Температура соединения

175

°C

Рабочее давление

Рабочая температура

-40

150

°C

T stg

Температура хранения

-40

125

°C

Напряжение изоляции V isol

Испытательное напряжение изоляции

Переменный ток, t= 1 мин

3000

V

Крутящий момент

При погружении

Рекомендуемый M6

3

5

Н · м

Крутящий момент

На клемме

Рекомендуемый M6

2.5

5

Н · м

Вес

340

g

ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА

СХЕМА УПАКОВКИ